北京晶川出英飞凌1200V碳化硅SiCMOS

　　G3商讯：20多年前，北京晶川把英飞凌的IGBT带到了中国，并获得了极大的认可与成功，今天英飞凌再次推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技术，使产品设计可以在功率密度和性能上将达到前所未有的水平，北京晶川再一次的“重复当年的故事”，晶川一直是功率器件最高技术水平的开拓者和领导者，这也正式晶川的格言“晶格动力，川流不息”，我们一直致力于把最新的技术应用到工业领域，视效率提升，节能环保为自己的企业使命，为中国的现代化进程添砖加瓦。

　　英飞凌的CoolSiC? MOSFET具备更大灵活性，可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。

　　英飞凌工业功率控制事业部总裁Helmut Gassel博士指出：“20多年来，英飞凌一直走在开发SiC解决方案的最前列，致力于满足用户对节能、缩减尺寸、系统集成和提高可靠性的需求。英飞凌制造出数百万件含有SiC器件的产品，而我们的肖特基二极管和J-FET技术使设计人员能够实现利用传统芯片不可能达到的功率密度和性能。该解决方案现在朝前迈出了一大步，将功率MOSFET涵盖在内，这使得从SiC技术获得的益处将被提升到前所未有的新水平。”

　　SiC MOSFET带来的影响非常显著。电源转换方案的开关频率可达到目前所用开关频率的三倍或以上。这能带来诸多益处，如减少磁性元件和系统外壳所用的铜和铝两种材料的用量，便于打造更小、更轻的系统，从而减少运输工作量，并且更便于安装。新解决方案有助于节能的特点由电源转换设计人员来实现。这些应用的性能、效率和系统灵活性也将提升至全面层面。

　　全新1200V SiC MOSFET经过优化，兼具可靠性与性能优势。它们在动态损耗方面树立了新标杆，相比1200V硅(Si)IGBT低了一个数量级。这在最初可以支持光伏逆变器、不间断电源(UPS)或充电/储能系统等应用的系统改进，此后可将其范围扩大到工业变频器。

　　该MOSFET完全兼容通常用于驱动IGBT的+15 V/-5 V电压。它们将4 V基准阈值额定电压(Vth)与目标应用要求的短路鲁棒性和完全可控的dv/dt特性结合起来。与SiIGBT相比的关键优势包括：独立于温度的开关损耗和无阈值电压的静态特性。

　　全新MOSFET融汇了多年SiC半导体开发经验，基于先进的沟槽半导体工艺，代表着英飞凌CoolSiC 产品家族的最新发展。该产品系列包括肖特基二极管和1200 V J-FET器件以及在一个模块中集成Si IGBT和SiC二极管的一系列混合解决方案。

　　首款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的导通电阻(RDS(ON))额定值为45 mΩ。它们将采用3引脚和4引脚TO-247封装，针对光伏逆变器、UPS、电池充电和储能应用。由于集成了反向恢复损耗接近零的耐用型体二极管，所以这两种型号的器件都可供用于同步整流方案。4引脚封装有一个额外的源极连接端子(Kelvin)，作为门极驱动电压的参考电位。通过消除由于源极电感引起的压降的影响，这可以进一步降低开关损耗，特别是在更高开关频率时。

　　另外，英飞凌还宣布推出基于SiC MOSFET技术的1200 V‘Easy1B’半桥和升压模块。这些模块采用PressFIT连接，有良好的热界面、低杂散电感和坚固的设计，每种封装的模块均有11 mΩ和23 mΩ的RDS(ON)额定值选项。

　　目前已推出SiC MOSFET的厂商只有罗姆，科瑞等少数厂商，新的SiC MOSFET产品将在2016年5月10-12日(当地时间)于德国纽伦堡巨型的功率元件及功率电子产品领域的世界最大规模展会“PCIM Europe 2016”上展出。2016年下半年起，晶川将全面进行推广英飞凌的SiC MOSFET，提供样品。这种SiC MOSFET是可以更大幅度降低损耗的“沟道型”，导通电阻只有现在SiCMOSFET产品通常采用的“平面性”的几分之一，因此，这种元件被视作能激发SiC材料潜能的“真命元件”。